光刻機，是一個全新的、已經被生產廠家驗證過的新型光刻曝光機以及晶圓對晶圓(W2W)接合曝光和測試系統，可滿足用戶對更高光刻精度的需求。業內向更小結構和更密集封裝生產轉型的趨勢帶來了眾多的新挑戰，如對更高精度的要求，因為這將嚴重影響設備的偏差律，并最終影響生產效率和增加成本。
它應用的系統可提高對準精度，范圍從1μm-0.1μm，從而為生產廠家在先進微電子、化和物半導體、硅基電功率、三維集成電路和納米等幾乎所有相關產業提供了解決方案。
它的技術原理：
光刻機就是把芯片制作所需要的線路與功能區做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
這就是它的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。
其技術是一種精密的微細加工技術。常規光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實現圖形的變換、轉移和處理，然后把圖像信息傳遞到晶片或介質層上的一種工藝。
在廣義上，光刻機包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面：
1、光復印工藝：經曝光系統將預制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置，精確傳遞到預涂在晶片表面或介質層上的光致抗蝕劑薄層上；
2、刻蝕工藝：利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去，從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反復進行。例如，大規模集成電路要經過約10次光刻才能完成各層圖形的全部傳遞。
